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美国豪威宣布量产背照式CMOS传感器

导读: 美国豪威科技(OmniVisionTechnologies)陆续发布了几款采用该公司背照(BSI:BacksideIllumination)技术“OmniBSI”的CMOS图像传感器量产的消息。

  产品特性:

  像素间隔均为1.75μm,灵敏度高达1400mV/lx·秒以上

  低照度环境下的摄像能力比表面照射型CMOS传感器要高

  支持720p、60帧/秒的影像拍摄

  应用范围:

  数码相机、摄像机、手机及游戏机

  美国豪威科技(OmniVisionTechnologies)陆续发布了几款采用该公司背照(BSI:BacksideIllumination)技术“OmniBSI”的CMOS图像传感器量产的消息。除了面向数码相机及摄像机的500万像素“OV5653”之外,还有面向手机及游戏机的500万像素“OV5650”及200万像素“OV2665”。每款的像素间隔均为1.75μm。低照度环境下的摄像能力比表面照射型CMOS传感器要高。灵敏度高达1400mV/lx·秒以上,S/N(信噪比)提高到了表面照射型CMOS传感器的2倍以上。将于2009年下半年开始量产。

  OV5653的光学尺寸为1/3.2英寸。支持720p、60帧/秒以及1080p、30帧/秒的影像拍摄。备有自动曝光控制、自动50/60Hz检测功能及黑电平(BlackLevel)的自动校正等功能。

  OV5650的光学尺寸为1/3.2英寸。支持720p、60帧/秒的影像拍摄。内置256B的内存,用于图像调整。

  OV2665的光学尺寸为1/5英寸。支持SVGA(800×600像素)、30帧/秒的影像拍摄。主要面向6.5mm见方的相机模块。集成了图像处理器(ISP)及接口电路。功耗工作时为250mW,待机时为75μA。

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