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多维科技推出新款TMR磁敏角度传感器

导读: MMA253F/MMA153F TMR 磁敏角度传感器在设计时利用了 MDT 独创的 TMR 传感器技术和知识产权,可进行360度全方位测量,其输出信号振幅高且稳定,测量间距的公差也较大。

  美国加州圣何塞和中国江苏张家港2012年4月17日电--江苏多维科技有限公司(简称 MDT)宣布推出两款 TMR(隧道磁阻)磁敏角度传感器,可广泛用于各类工业传感器应用,包括旋转编码器、速度传感器、非接触式电位器以及用于直流无刷电机(BLDC)的旋转位置控制器。

  MMA253F/MMA153F TMR 磁敏角度传感器在设计时利用了 MDT 独创的 TMR 传感器技术和知识产权,可进行360度全方位测量,其输出信号振幅高且稳定,测量间距的公差也较大。MDT 的 TMR 磁敏角度传感器降低了信号处理电路的复杂性。

  多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示:“我们全心致力于为客户提供 TMR 传感器的各项技术优势,并以多种服务方式最大限度地满足客户需求。除了供应 TMR 磁传感器芯片之外,我们还可以按需提供完整的系统解决方案。我们可以为大批量订购的客户量身定制 TMR 传感器晶圆,并与客户自有的 ASIC(专用集成电路)技术实现集成。”

  薛博士称,MDT 新推出的 TMR 磁敏角度传感器功率低、精度高且输出信号稳定,从而降低了旋转编码器的整体系统成本。它们可方便地与模拟或数字电路相集成。

  MDT 的 TMR 传感器技术结合了 AMR(各向异性磁阻)、GMR(巨磁阻)和霍尔效应 (Hall Effect) 等现有磁传感器技术的主要优点,同时克服了上述技术的局限性,包括信号灵敏度低(霍尔、AMR 和 GMR)和复杂的360度测量设计 (AMR)。

  主要特征

  360度测量和双轴 SINE/COSINE 输出 (MMA253F)

  单轴180度测量 (MMA153F)

  输出信号高于供电电压的90%,无需放大

  耗电量非常低,在1伏电压下,电流仅为7微安

  高精度(角度误差为1度)和高分辨率(定制电路的分辨率可达12位)

  测量间距的允许公差范围较大,支持更加灵活的多种实现方案

  小型 LGA8 和 SOP8 封装

  MMA253F/MMA153F TMR 磁传感器可立即提供样品。用户还能获得评估工具包 MMA253F-EVL,对 MMA253F 传感器的电磁特性进行评估。MMA253F-EVL 工具包提供 LCD 显示器、USB 接口以及适用于绝对式或增量式旋转编码器的12位数字输出。

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