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“光电成像器件抗辐射性能检测设备”通过验收

导读: 日前,中国科学院计划财务局组织验收专家对新疆理化技术研究所承担的中科院科研装备研制项目——“光电成像器件抗辐射性能检测设备”进行了验收。

  7月2日,中国科学院计划财务局组织验收专家对新疆理化技术研究所承担的中科院科研装备研制项目——“光电成像器件抗辐射性能检测设备”进行了验收。

  该设备由光电响应性能检测分系统、光谱传递函数与光谱响应度检测分系统、辐射定标分系统、控制与数据处理分系统及试验辅助装置等部分组成。该设备具有检测典型光电成像器件饱和输出电压、饱和曝光量、光辐射响应度、相对光谱响应、响应度非均匀性、电荷转移效率、光谱和白光传递函数、暗信号、暗噪声、噪声等效曝光量、动态范围、非线性度、固态图片噪声等主要特性参数的功能,并可测定光电成像器件(CCD)受辐照后辐照剂量与CCD特性参数衰变的关系。

  验收专家组认真听取了项目负责人郭旗研究员作的项目工作情况汇报,并就相关问题进行了提问和讨论,一致认为光电成像器件抗辐射性能检测设备是一套光电成像器件抗辐射性能定量检测与评价系统,在国内首次实现了CCD等光电成像器件抗辐射性能的全参数定量测试与分析;项目方案设计合理,技术路线正确,档案与技术资料翔实、齐套,全面完成了实施方案规定的各项功能和技术指标要求;该设备已在航科集团、中电集团、中科院长春光机所等多家卫星、载荷及器件研制单位的光电成像器件(CCD、CMOS传感器)抗辐射性能考核与评估中得到了成功的应用。项目经费使用合理,按照项目任务书要求完成了各项研制任务。验收专家组一致同意通过验收。

  该研制项目在国内首次建立了定量评价光电成像器件抗辐射性能的检测设备;首次实现了辐照试验中CCD等光电成像器件性能参数较全面的定量检测与分析;形成的光电成像器件抗辐射性能检测技术与方法,填补了国内光电成像器件检验领域的空白,为相关检测工作的标准化和规范化奠定了基础。

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